2020年9月5日，第二屆第三代半導體材料及裝備發(fā)展研討會在北京中國科學院半導體所學術會議中心成功舉辦。

本屆會議由北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱“聯(lián)盟”）、中關村產(chǎn)業(yè)技術聯(lián)盟聯(lián)合會集成電路工作專業(yè)委員會主辦，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、國宏中宇科技發(fā)展有限公司、中晟光電設備（上海）股份有限公司、山東力冠微電子裝備有限公司、深圳中科系統(tǒng)集成技術有限公司協(xié)辦。會議目的是加強第三代半導體材料與裝備企業(yè)之間及裝備企業(yè)與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)之間的互動交流與協(xié)同合作，推進“材料、工藝、裝備一體化”發(fā)展，加快裝備國產(chǎn)化的需求與進程，實現(xiàn)第三代半導體產(chǎn)業(yè)的全面技術突破，緩解“卡脖子”問題。

科技部高新技術發(fā)展司副司長雷鵬，科技部高新司材料處處長孟徽，科技部高新司材料處副調(diào)研員曹學軍，聯(lián)盟理事長吳玲，北京大學理學部副主任、聯(lián)盟副理事長沈波，中國電子科技集團公司第十三研究所副所長、聯(lián)盟裝備委員會共同主任唐景庭，中國科學院半導體所副所長楊富華，深圳第三代半導體研究院副院長張國旗，中關村順義園管委會主任張建國，北京新材料和新能源科技發(fā)展中心副主任蔡永香，中關村產(chǎn)業(yè)技術聯(lián)盟聯(lián)合會研究部主任段恒等嘉賓及產(chǎn)業(yè)鏈專家約200余位參加了本屆大會。聯(lián)盟于坤山秘書長主持會議。

科技部高新技術發(fā)展司副司長雷鵬在致辭中提到科學技術是第一生產(chǎn)力，創(chuàng)新是引領發(fā)展的第一動力。在“十四五”材料領域?qū)ｍ椏傮w布局中，第三代半導體是重要方向。未來的技術發(fā)展絕對不是單一的技術發(fā)展，而是很多技術的集成，我們要充分發(fā)揮集中力量辦大事的優(yōu)勢，組織行業(yè)聯(lián)合攻關，協(xié)同創(chuàng)新。在國際形勢深刻變化的背景下，希望新材料及第三代半導體的同仁們能同心協(xié)辦共同奮斗，為中國從大國到強國的轉變貢獻力量。

中國科學院半導體研究所副所長楊富華在致辭中表示，我國第三代半導體核心材料和裝備與美日歐等發(fā)達國家有較大差距，高端裝備嚴重依賴進口，希望通過此次會議，研究出切實解決辦法和各方合作機制，集全國智慧，突破核心技術真正實現(xiàn)中國制造。

聯(lián)盟理事長吳玲在致辭中講到，第三代半導體是我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。材料和裝備是我們短板中的短板，我們需要在各方合作的基礎上，合力推進我國第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈同步提高，實現(xiàn)中華民族崛起的夢想。

隨后，11位嘉賓分別做了精彩的報告，現(xiàn)場氣氛異常熱烈。

北京大學理學部副主任、聯(lián)盟副理事長沈波教授做了《新形勢下我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)面臨的問題和發(fā)展機遇》的報告，報告系統(tǒng)的介紹了我國第三代半導體的發(fā)展現(xiàn)狀，取得的主要成就，以及研發(fā)和產(chǎn)業(yè)力量分布和發(fā)展趨勢，分析了當前該領域存在的問題和與國際上的差距，對我國第三代半導體研發(fā)和產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展提出了一些看法和建議。

中電科13所副所長，聯(lián)盟裝備委員會共同主任唐景庭做了《半導體關鍵裝備的現(xiàn)狀及國產(chǎn)化思考》的報告，指出了我國半導體產(chǎn)業(yè)面臨的新形勢以及半導體裝備現(xiàn)狀，并進一步針對第三代半導體裝備國產(chǎn)化從思維和具體操作層面提出建議。

中電科電子裝備集團有限公司高級工程師鞏小亮帶來了《SiC器件制造關鍵裝備發(fā)展趨勢及國產(chǎn)化進展》的報告，介紹了碳化硅器件制造關鍵裝備的發(fā)展趨勢和國產(chǎn)化進展，在碳化硅單晶、外延、芯片等環(huán)節(jié)國產(chǎn)裝備已形成全面布局和以競爭促發(fā)展的良性局面。電科裝備經(jīng)過多年持續(xù)研發(fā)，碳化硅單晶爐、高溫能離子注入機、高溫激活爐等關鍵裝備已實現(xiàn)迭代升級和初步成套應用。

東莞市天域半導體科技有限公司生產(chǎn)總監(jiān)孔令沂做了《高壓碳化硅電力電子器件研發(fā)進展及其典型裝備需求》的報告，主要介紹了碳化硅外延生產(chǎn)線中的外延設備、檢測設備、清洗設備等相關的技術更新需求，提議為后續(xù)碳化硅外延材料的廣泛應用做好相關設備的技術更新準備。

全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院高級工程師楊霏做了《高壓碳化硅電力電子期間研發(fā)進展及其典型裝備需求》的報告，報告結合碳化硅MOSFET最新產(chǎn)業(yè)動態(tài)，分析了對于碳化硅MOSFET芯片加工、封裝測試裝備的技術需求，結合國內(nèi)設備技術水平，指出優(yōu)先發(fā)展的國產(chǎn)化設備方向。

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司副總裁李謙做了《第三代半導體器件工藝設備國產(chǎn)化探討》的報告，報告分析了5G推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來的新機遇，新挑戰(zhàn)，闡述北方華創(chuàng)在襯底材料及器件工藝的國產(chǎn)化設備解決方案，同時引出思考。通過目前國內(nèi)外形勢帶來的不確定性與確定性，表達北方華創(chuàng)愿與客戶深化合作，跟進產(chǎn)業(yè)節(jié)奏，為構建先進，安全，高效，穩(wěn)固的國產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈貢獻一己之力。

英諾賽科（珠海）科技有限公司高級工藝總監(jiān)謝文元做了《硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進展及裝備需求》的報告，介紹了英諾賽科以IDM模式致力于第三代半導體氮化鎵的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，現(xiàn)已成為全球唯一能同時量產(chǎn)低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的公司。希望國產(chǎn)設備以性能佳價格優(yōu)勢進入，針對第三代半導體提前參與共同開發(fā)，共同攀登新高地。

中微半導體設備（上海）股份有限公司副總裁郭世平做了《中微公司研發(fā)進展及對國產(chǎn)裝備發(fā)展的幾點思考》的報告，報告中匯報了中微公司刻蝕和MOCVD設備的研發(fā)進展及對國產(chǎn)裝備發(fā)展的一些思考。

國宏中宇科技發(fā)展有限公司總經(jīng)理、聯(lián)盟裝備委員會副主任趙然做了《碳化硅單晶及襯底片材料制備與裝備研發(fā)的協(xié)同發(fā)展》的報告，介紹了國宏中宇科技發(fā)展有限公司在碳化硅單晶襯底片材料領域技術研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)工作過程中基于材料與裝備協(xié)同發(fā)展思路所取得的部分進展，同時對研發(fā)過程中存在的材料與裝備不足與問題提出了具體的協(xié)同發(fā)展建議。

中晟光電設備（上海）股份有限公司董事長陳愛華做了《產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展加快推動半導體裝備國產(chǎn)化》的報告，報告了中晟MOCVD研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的進展，產(chǎn)品聚焦深紫外、GaN半導體分立器件和GaAs/InP分立器件應用。陳董事長根據(jù)中晟在產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展的實踐，為加快半導體裝備國產(chǎn)化進程，解決安全和先進性，對產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展對提出了具體的建議。

大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團股份有限公司半導體事業(yè)部博士李春昊做了《激光技術在第三代半導體領域的應用》的報告，介紹了大族激光技術在第三代半導體產(chǎn)業(yè)中的應用。主要包括：SiC晶圓的改質(zhì)切割技術、SiC晶錠剝離技術、GaN激光開槽技術、SiC晶圓激光退火技術等。

中電科13所副所長，聯(lián)盟裝備委員會共同主任唐景庭主持了以生產(chǎn)過程中關鍵裝備的國產(chǎn)化為主題的互動環(huán)節(jié)。現(xiàn)場嘉賓圍繞國內(nèi)企業(yè)近年的裝備需求、裝備企業(yè)如何開展合作；如何推進裝備國產(chǎn)化等問題進行了熱烈的討論。

在大會結束后，在聯(lián)盟大會議室舉行了聯(lián)盟裝備委員會閉門會議。