1、天科合達(dá)：砥礪前行譜新篇，助力第三代半導(dǎo)體發(fā)展大步向前

      2021年2月9日下午，大興區(qū)委副書記、區(qū)長王有國等領(lǐng)導(dǎo)蒞臨北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“天科合達(dá)”），向春節(jié)期間在京堅守工作崗位的100多名公司京外員工送來慰問品和新春祝福，并與天科合達(dá)管理層親切座談，調(diào)研天科合達(dá)發(fā)展?fàn)顩r和第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)情況。2020年，天科合達(dá)實現(xiàn)了導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅單晶襯底銷售規(guī)模大幅增長，2020年12月，天科合達(dá)完成新一輪8億元人民幣融資，引入深創(chuàng)投、中金資本、高瓴資本、比亞迪、華潤資本、深圳中深新創(chuàng)、屹唐長厚等戰(zhàn)略合作伙伴和知名投資機(jī)構(gòu)，有效保障了公司后續(xù)項目建設(shè)資金。另外，天科合達(dá)位于大興區(qū)黃村鎮(zhèn)東南工業(yè)園區(qū)的第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化項目總投資9.57億元，建筑總面積5.52萬㎡，項目于2020年8月正式開工建設(shè)，目前項目基建部分進(jìn)展順利，計劃于2022年初建成并使用。該項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片碳化硅襯底的產(chǎn)能規(guī)模，有效助推北京市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展。

2、 深圳基本半導(dǎo)體：打造國際一流碳化硅IDM

     作為中國碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體掌握行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋材料制備、芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈。通過前瞻布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，基本半導(dǎo)體正以排頭兵之勢，積極投身中國“新基建”事業(yè)，為“中國智造”的高速高質(zhì)量發(fā)展保駕護(hù)航。

    碳化硅材料的升級有賴于終端市場需求提升所帶來的支持。需求量增長會帶來產(chǎn)業(yè)配套資源的大量投入，從而加快產(chǎn)品迭代更新，促進(jìn)行業(yè)向前發(fā)展。推進(jìn)碳化硅產(chǎn)品市場化進(jìn)度是促進(jìn)碳化硅材料升級的基礎(chǔ)。市場化機(jī)制下，會形成優(yōu)勝劣汰，引導(dǎo)社會資源向頭部領(lǐng)域集中，從而推動更多高性能、高質(zhì)量的產(chǎn)品研發(fā)和制造。同時，能夠吸引更多的終端客戶采用碳化硅這種新材料，提升產(chǎn)銷量、拓展應(yīng)用方向、獲取極大的應(yīng)用數(shù)據(jù)、推動可靠性能力進(jìn)步并降低生產(chǎn)制造成本。讓整個碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈形成正向循環(huán)。

    基本半導(dǎo)體引進(jìn)了國內(nèi)外該領(lǐng)域知名高校的高端人才及行業(yè)內(nèi)有豐富經(jīng)驗和深厚技術(shù)能力的專家；原材料供應(yīng)采用了國內(nèi)和國外兩條完整產(chǎn)業(yè)鏈獨立循環(huán)的模式，以確保供應(yīng)鏈的安全；自建了外延、晶圓和封裝的自主生產(chǎn)基地，提升制造工藝能力和產(chǎn)能；對標(biāo)國際標(biāo)準(zhǔn)、吸收汽車行業(yè)的經(jīng)驗，產(chǎn)品以汽車等級的要求設(shè)計開發(fā)，生產(chǎn)基地完全按照車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)來建設(shè)嚴(yán)格質(zhì)量控制的車規(guī)線。另外，基本半導(dǎo)體還在總部建成了功能強(qiáng)大、符合CNAS標(biāo)準(zhǔn)要求的“碳化硅功率器件工程實驗室”。通過這一系列的努力，讓基本半導(dǎo)體的技術(shù)、產(chǎn)品和供應(yīng)鏈能力在行業(yè)內(nèi)具備了較強(qiáng)的領(lǐng)先優(yōu)勢，及與國際頭部企業(yè)并跑的資格。來源：《化合物半導(dǎo)體》對深圳基本半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理和巍巍的專訪

3、中科鋼研半導(dǎo)體項目預(yù)計年內(nèi)投產(chǎn)

     2月份，山東萊西中科鋼研碳化硅集成電路產(chǎn)業(yè)園項目傳來新進(jìn)展。據(jù)握得萊西報道，該項目總投資10億元，占地83畝，建筑面積5.5萬平方米，主要產(chǎn)品為4英寸、6英寸碳化硅晶體襯底片，預(yù)計年內(nèi)投產(chǎn)。

4、英飛凌曹彥飛：2025年碳化硅會達(dá)到20%左右市場份額

“碳達(dá)峰和碳中和目標(biāo)下的汽車與交通轉(zhuǎn)型”國際論壇，英飛凌科技大中華區(qū)高級副總裁兼汽車電子事業(yè)部負(fù)責(zé)人曹彥飛發(fā)表觀點

       在2020年，全球半導(dǎo)體的市場規(guī)模達(dá)到了4330億美元。在2019年由于全球貿(mào)易的波動和一些其他綜合因素，有過短暫的下降，但是在剛剛過去的2020年，疫情以及宏觀經(jīng)濟(jì)的雙重挑戰(zhàn)之下，半導(dǎo)體行業(yè)仍然有5%左右的增長，  未來看，年復(fù)合增長率在5.8%左右，其中汽車半導(dǎo)體增長是高于行業(yè)的平均增長率的，大概是7%左右。新能源是長期趨勢，2025年之前傳統(tǒng)燃油車依然還會占據(jù)相應(yīng)的主導(dǎo)地位，當(dāng)然中間伴隨著新能源，包括BEV、PHEV強(qiáng)勁的發(fā)展，由此也帶來了碳化硅的快速發(fā)展期，大概在2025、2026年左右，碳化硅就會達(dá)到大概20%左右的市場份額，典型的應(yīng)用領(lǐng)域包括主逆變器、OBC和DC/DC。

5、碳化硅，十四五研發(fā)的熱門材料

      近期，科技部正在對各種重點專項的計劃征求意見。這些是十四五期間，國家投錢的一些地方，還是值得參考以下的。其中，碳化硅這種物質(zhì)以不同的形態(tài)在各個領(lǐng)域中出現(xiàn)，從設(shè)備、單晶、陶瓷、外延、器件、應(yīng)用，是一種不折不扣的熱門材料。例如：

在“高性能制造技術(shù)與重大裝備”重點專項中，涉及到碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備：

名稱：第三代半導(dǎo)體高性能碳化硅單晶制備和外延工藝及成套裝備

在“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項中，涉及到碳化硅晶體、器件：

名稱：大尺寸SiC單晶襯底制備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)

名稱：面向新能源汽車應(yīng)用的SiC功率電子材料與器件

名稱：中高壓 SiC 超級結(jié)電荷平衡理論研究及器件研制

6、比亞迪：啟動碳中和規(guī)劃研究，推出高性能碳化硅芯片

     日前，為積極響應(yīng)國家“2030年前碳達(dá)峰、2060年前碳中和”目標(biāo)，推動應(yīng)對氣候變化《巴黎協(xié)定》全面有效實施，比亞迪宣布正式啟動企業(yè)碳中和規(guī)劃研究，探索新能源汽車行業(yè)碳足跡標(biāo)準(zhǔn)。比亞迪針對交通運輸領(lǐng)域碳減排，提出給汽車尾氣排放做三個“1/3”減法，助力零碳目標(biāo)。比亞迪推出了高安全刀片電池、高性能碳化硅芯片、高效率DM-i超級混動系統(tǒng)，加速私家車電動化進(jìn)程，滿足公眾對綠色出行的美好需求。

7、降損耗，高可靠！東南大學(xué)科研團(tuán)隊氮化鎵項目再獲突破

      日前，東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院孫偉鋒教授團(tuán)隊在氮化鎵（GaN）功率驅(qū)動芯片技術(shù)上的最新研究成果成功發(fā)表在集成電路設(shè)計領(lǐng)域最高級別會議IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)上。

該研究成果為：“A 600V GaN Active Gate Driver with Dynamic Feedback Delay Compensation Technique Achieving 22.5% Turn-on Energy Saving”，是一種針對第三代半導(dǎo)體GaN功率器件柵極控制的延時補(bǔ)償分段驅(qū)動技術(shù)，可有效緩解開關(guān)損耗和EMI的折衷關(guān)系。該論文是中國大陸在ISSCC會議上發(fā)表的第一篇關(guān)于高壓（600V等級）GaN驅(qū)動技術(shù)的論文。

8、蘇州納米所孫錢團(tuán)隊研制出一種新型氮化鎵半導(dǎo)體激光器

 III族氮化物半導(dǎo)體是繼第一代Si、Ge元素半導(dǎo)體和第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體之后的第三代半導(dǎo)體，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體。其為直接帶隙材料，禁帶寬度在0.7 eV (InN)至6.2 eV (AlN)之間連續(xù)可調(diào)，發(fā)光波長覆蓋了近紅外、可見光到深紫外等波段；其還具有發(fā)光效率高、熱導(dǎo)率大、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點，可用于制作半導(dǎo)體激光器?；贗II族氮化物的半導(dǎo)體激光器在激光顯示、激光照明、激光通信、材料加工和激光醫(yī)療等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用(圖1)，因此得到了國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界知名企業(yè)和全球頂尖科研機(jī)構(gòu)的廣泛關(guān)注。

圖1. GaN基激光器的應(yīng)用場景。

      該研究成果以InGaN-based lasers with an inverted ridge waveguide heterogeneously integrated on Si(100)為題發(fā)表在ACS Photonics 2020, 7, 2636 (網(wǎng)址鏈接https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsphotonics.0c01061)，并被半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威雜志Semiconductor Today報道(網(wǎng)址鏈接http://www.semiconductor-today.com/news_items/2020/oct/sinano-151020.shtml)。

9、學(xué)術(shù)界碳化硅器件技術(shù)新進(jìn)展

      在學(xué)術(shù)界，2021年一個引人注目的SiC頭條新聞來自名古屋工業(yè)大學(xué)的最新研究。該研究小組提出了一種無損測量碳化硅器件中載流子壽命的方法。這是一項重要的成果，因為許多研究人員一直在嘗試平衡SiC載流子壽命-在足夠的電導(dǎo)率調(diào)制（這需要較長的載流子壽命）和開關(guān)損耗（需要較短的載流子壽命）之間尋找最佳平衡點。

       

      在他們提出的方法中，研究人員使用激發(fā)激光器來創(chuàng)建載流子，并使用帶有檢測器的探針激光器來測量激發(fā)載流子的壽命。有了這種可以進(jìn)行更簡單、非侵入性分析的技術(shù)，工程師們終于可以開始對載流子壽命進(jìn)行微調(diào)，以達(dá)到傳導(dǎo)調(diào)制和低開關(guān)損耗的完美平衡。這在未來可能會帶來新一代更新、更高性能的SiC器件。

        另一項SiC進(jìn)展來自弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所(ISE)的研究人員，他們最近發(fā)現(xiàn)了一種新型的SiC晶體管，由于其高阻斷電壓，可以直接連接到中壓電網(wǎng)。這些新器件與大多數(shù)逆變器相反，它們向低壓電網(wǎng)供電，但可以使用50赫茲變壓器與中壓電網(wǎng)耦合。

弗勞恩霍夫ISE團(tuán)隊創(chuàng)建的250-kVA的逆變器堆棧，其中包括3.3-kv-SiC-晶體管

10、碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈漸入佳境，湖南第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“蓄勢待發(fā)”   

     2020年2月，湖南省工信廳印發(fā)了《湖南省數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃（2020-2025年）》，湖南將推動IGBT、第三代半導(dǎo)體等重大項目，構(gòu)建完善產(chǎn)品鏈，促進(jìn)氮化鎵和碳化硅器件制造技術(shù)開發(fā)，發(fā)展器件級、晶圓級封裝和系統(tǒng)級測試技術(shù)，提升工藝技術(shù)水平，加快實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)能力。

11、20億碳化硅項目落地新疆昌吉！年產(chǎn)8萬片

     2月20日，昌吉回族自治州舉行招商引資項目“云簽約”儀式，當(dāng)日現(xiàn)場簽約16個項目，涉及新材料、新能源、商貿(mào)物流、農(nóng)副產(chǎn)品精深加工、文化旅游等多個領(lǐng)域，總投資達(dá)93.4億元。當(dāng)日簽約儀式上，總投資億元以上的項目有12個，15億元以上的4個，其中江蘇連云港亮晶新材料科技有限公司碳化硅單晶圓芯片項目總投資額20億元，為當(dāng)日最大的投資項目。

12、聯(lián)電首款6.6kW車載充配電單元批產(chǎn)采用SiC MOSFET   

      2 月 3 日，聯(lián)合電子首款 6.6kW 車載充配電單元（CharCON）在上海廠順利批產(chǎn)。6.6kW CharCON 由聯(lián)合電子完全自主開發(fā)，是一款高度集成化的車載電源產(chǎn)品，集成雙向車載充電機(jī)（OBC）和大功率高壓直流轉(zhuǎn)換器（DCDC），其中車載充電機(jī)可以實現(xiàn) 6.6kW AC/DC 和 3.3kW DC/AC 的雙向轉(zhuǎn)換，高壓直流轉(zhuǎn)換器 DCDC 功率達(dá) 3kW。聯(lián)合電子 6.6kW CharCON 采用無橋 PFC 拓?fù)?，并使?SiC MOSFET（碳化硅）器件，提升了產(chǎn)品效率，峰值效率達(dá)到 95.5%，滿載效率典型值 >94%。SiC 的應(yīng)用實現(xiàn)了更低的充電損耗，也提高了產(chǎn)品的熱性能和可靠性。

*免責(zé)聲明：本文部分資訊和圖片整理自網(wǎng)絡(luò)。侵刪，整理僅為了匯集信息，了解市場行情，不代表本聯(lián)盟對觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系我們。